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国内大厂加速崛起:半导体硅片供需两旺硅晶圆规模超百亿美元

2022-07-10 08:42:32 来源:雷竞技急速体现 作者:雷竞技能不能玩 浏览量:2

  半导体材料是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料,是半导体工业的基础。半导体材料的研究始于 19 世纪,至今已发展至第四代半导体材料,各个代际半导体材料之间互相补充。

  第一代半导体:以硅(Si)、锗(Ge)等为代表,是由单一元素构成的元素半导体材料。硅半导体材料及其集成电路的发展导致了微型计算机的出现和整个信息产业的飞跃。

  第二代半导体:以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等为代表,也包括三元化合物半导体,如 GaAsAl、GaAsP,还包括一些固溶体半导体、非静态半导体等。

  随着以光通信为基础的信息高速公路的崛起和社会信息化的发展,第二代半导体材料显示出其优越性,砷化镓和磷化铟半导体激光器成为光通信系统中的关键器件,同时砷化镓高速器件也开拓了光纤及移动通信的新产业。

  第三代半导体:以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)为代表的宽禁带半导体材料。具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,在半导体照明、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景。

  第四代半导体:以氧化镓(Ga2O3)、金刚石(C)、氮化铝(AlN)为代表的超宽禁带半导体材料,禁带宽度超过4eV;以及以锑化物(GaSb、InSb)为代表的超窄禁带半导体材料。

  超宽禁带材料凭借其比第三代半导体材料更宽的禁带,在高频功率器件领域有更突出的特性优势;超窄禁带材料由于易激发、迁移率高,主要用于探测器、激光器等器件的应用中。

  在 1950 年代初期,锗是主要的半导体材料。但锗半导体器件的耐高温和抗辐射性能较差,到 1960 年代逐渐被硅材料取代。

  由于硅器件的漏电流要低得多,且二氧化硅是一种高质量的绝缘体,很容易作为硅器件的一部分进行整合,至今半导体器件和集成电路仍然主要用硅材料制成,硅产品构成了全球绝大部分半导体产品。

  根据 SEMI 的数据,在硅晶圆制造过程中,半导体硅片(硅晶圆)也是占比最大的原材料,2018 年约 38%。

  半导体硅晶圆(Semiconductor Silicon Wafer)是制造硅半导体产品的基础,可根据不同参数进行分类。

  根据尺寸(直径)不同,半导体硅片可分为 2 英寸(50mm)、3 英寸(75mm)、4 英寸(100mm)、5 英寸(125mm)、6 英寸(150mm)、8 英寸(200mm)、12 英寸(300mm),在摩尔定律影响下,半导体硅片正在不断向大尺寸的方向发展,目前 8 英寸和 12 英寸是主流产品,合计出货面积占比超过 90%

  重掺硅片的掺杂元素掺入量大,电阻率低,一般用于功率器件等产品;轻掺硅片掺杂浓度低,一般用于集成电路领域,技术难度和产品质量要求更高。由于集成电路在全球半导体市场中占比超过 80%,全球对轻掺硅片需求更大。

  根据工艺,半导体硅片可分为研磨片、抛光片及基于抛光片制造的特殊硅片外延片、SOI 等。研磨片可用于制造分立器件;轻掺抛光片可用于制造大规模集成电路或作为外延片的衬底材料,重掺抛光片一般用作外延片的衬底材料。

  相比研磨片,抛光片具有更优的表面平整度和洁净度。在抛光片的基础上,可以制造出退火片、外延片、SOI 硅片和结隔离硅片等。退火片在氢气或氩气环境下对抛光片进行高温热处理,以去除晶圆表面附近的氧气,可以提高表面晶体的完整性。

  外延片是在抛光片表面形成一层气相生长的单晶硅,可满足需要晶体完整性或不同电阻率的多层结构的需求。

  SOI 硅 片 (Silicon-On-Insulator)是在两个抛光片之间插入高电绝缘氧化膜层,可以实现器件的高集成度、低功耗、高速和高可靠性,在活性层表面也可以形成砷或砷的扩散层。

  结隔离硅片是根据客户的设计,利用曝光、离子注入和热扩散技术在晶圆表面预形成 IC 嵌入层,然后再在上面生长一层外延层

  正片(Prime Wafer)用于半导体产品的制造,假片(Dummy Wafer)用来暖机、填充空缺、测试生产设备的工艺状态或某一工艺的质量状况。

  假片一般由晶棒两侧品质较差部分切割而来,由于用量巨大,在符合条件的情况下部分产品会回收再利用,回收重复利用的硅片称为可再生硅片(Reclaimed Wafer)。

  据观研网数据,65nm 制程的晶圆代工厂每 10 片正片需要加 6 片假片,28nm 及以下制程每 10 片正片则需要加 15-20 片假片。

  半导体硅片的市场规模随着全球半导体行业景气度波动,单位面积价格在 2016 年触底后回升。

  根据 SEMI 数据,全球半导体硅片销售额由 2005 年的 79 亿美元增长到 2021 年的 126 亿美元,其中出货面积由 66.45 亿平方英寸增加到 141.65 亿 英寸,单位面积价格先降后升,由 2005 年的 1.19 美元/英寸降至 2016 年的 0.67 美元/英寸,之后回升至 2021 年的 0.89 美元/英寸。

  作为半导体产品最重要的主要原材料,全球半导体硅片的市场规模的波动方向基本与全球半导体销售额一致,且波动幅度更大,具有明显的周期性。

  半导体硅片的上游是半导体级多晶硅材料,下游是半导体产品。硅元素在自然界中以二氧化硅为主要存在形式,通过化学还原生成多晶硅材料,之后再进行提纯。

  光伏用多晶硅材料纯度要求为 6~9 个“9”之间(99.9999%-99.9999999%),半导体用纯度要求 11 个“9”以上(99.999999999%)。制作完成的半导体硅片被晶圆厂用作衬造出各类半导体产品,并最终应用于手机、电脑等终端产品中。

  半导体硅片的生产流程复杂,涉及工序较多。研磨片工序包括拉单晶、截断、滚圆、切 片、倒角、研磨等,抛光片是在研磨片的基础上经边缘抛光、表面抛光等工序制造而来;抛光片经外延工艺制造出硅外延片,经退火热处理制造出硅退火片,经特殊工艺制造出绝缘体上硅 SOI。

  电子级高纯度多晶硅通过单晶生长工艺可拉制成单晶硅棒,常用方法有直拉法(Czochralsk,CZ 法)和区熔法(Float-Zone,FZ 法)两种。

  FZ 法纯度高,氧含量低,电阻率较高,能耐高压,但工艺难度大,大尺寸硅片制备困难且成本高,因此主要以 8 英寸及以下尺寸为主,主要用于中高端功率器件。

  CZ 法氧含量高,更容易生产出大尺寸单晶硅棒,工艺也已成熟,成本较低,因此目前半导体行业主要采用 CZ 法拉制单晶硅棒。

  拉单晶技术直接决定了位错、COP (crystal originated pit,晶体原生凹坑)、旋涡等晶体原生缺陷的密度及电阻率、电阻率梯度、氧、碳含量等晶体技术指标的好坏,是半导体硅片生产工序中最为核心的技术。

  装料:将多晶硅和掺杂剂放入单晶炉内的石英坩埚内,掺杂剂的种类依所需生长的电阻率而定,主要有生长 P 型的硼和生长 N 型的磷、砷、锑等。

  熔化:装料结束后,加热至硅熔化温度(1420℃)以上,将多晶硅和掺杂剂熔化,挥发一定时间后,将籽晶下降与液面接近,使籽晶预热几分钟,俗称“烤晶”,以除去表面挥发性杂质同时可减少热冲击。

  引晶:当温度稳定后,将籽晶与熔体接触,然后具有一定转速的籽晶按一定速度向上提升,随着籽晶上升硅在籽晶头部结晶,称为“引晶”或“下种”。

  缩颈:在引晶后略微降低温度,提高拉速,拉一段直径比籽晶细的部分。其目的是排除接触不良引起的多晶和尽量消除籽晶内原有位错的延伸。颈一般要长于 20mm。

  放肩:缩颈工艺完成后,通过逐渐降低提升速度及温度调整,使晶体直径逐 渐变大到所需的直径为止。在放肩时可判别晶体是否是单晶,否则要将其熔掉重新引晶。

  等径生长:当晶体直径到达所需尺寸后,提高拉速,使晶体直径不再增大,称为收肩。收肩后保持晶体直径不变,就是等径生长。此时要严格控制温度和拉速不变。单晶硅片取自于等径部分。

  收尾:在长完等径部分之后,如果立刻将晶棒与液面分开,那么效应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生,必须将晶棒的直径慢慢缩小,直到成一尖点而与液面分开。这一过程称之为收尾阶段。长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出,即完成一次生长周期

  在真空或稀有气体环境下的炉室中,利用电场给多晶硅棒加热,直到被加热区域的多晶硅融化,形成熔融区。

  使多晶硅上的熔融区不断上移,同时籽晶缓慢旋转并向下拉伸,逐渐形成单晶硅棒。

  单晶硅棒磨成相同直径,然后根据客户要求的电阻率,用内径锯或线mm 厚的薄片,形成晶圆。根据目前的工艺、技术水平,为了降低硅材料的损耗、提高生产效率和表面质量,一般采用线切割方法进行切片。

  硅片倒角加工的目的是消除硅片边缘表面经切割加工所产生的棱角、裂缝、毛刺、崩边或其他的缺陷以及各种边缘表面污染,从而降低硅片边缘表面的粗糙度,增加硅片边缘表面的机械强度、减少颗粒的表面沾污。

  在研磨机上用磨料将切片抛光到所需的厚度,同时提高表面平整度。研磨的目的是为了去除在切片工序中,硅片表面因切割产生的深度约 20~25um 的表面机械应力损伤层和表面的各种金属离子等杂质污染,并使硅片具有一定的平坦表面。

  通过化学蚀刻去除前面步骤对晶圆表面造成的机械损伤,然后采用硅溶胶机械化学抛光法使晶圆表面更加平整和光洁。

  清洁后,对产品进行严格的质量检查,合格后销售给客户。也可进一步用来制作 SOI、外延片等特殊硅

  半导体硅片核心工艺包括单晶工艺、切片工艺、研磨工艺、抛光工艺、外延工艺等,技术专 业化程度较高,其中单晶工艺是最为核心的技术,其决定了硅片尺寸、电阻率、纯度、氧含量、位错、晶体缺陷等关键技术指标,在单晶生长过程中,需要注意温度控制和提拉速率等。

  晶圆研磨、抛光工艺决定硅片的厚度、表面平整度、表面洁净度、表面颗粒度、翘曲度等指标。外延工艺的重点是保证外延层厚度的均匀性和外延层电阻率的片内均匀性。

  随着工艺制程不断向前推进,对硅片性能指标要求也越来越高,比如前沿的 12 英寸硅片需要达到的部分参数如下:

  半导体硅片是芯片制造企业生产半导体产品的重要原材料,芯片制造企业对于引入新供应商态度谨慎,为了保证产品质量的稳定性和一致性,需要经过很长时间的认证周期。

  通常,芯片制造企业会要求硅片供应商先提供一些硅片供其试生产,待通过内部认证后,芯片制造企业会将产品送至下游客户处,获得其客户认可后,才会对硅片供应商进行认证,最终正式签订采购合同。

  半导体硅片行业是一个资金密集型行业,且需要达到一定销售规模才能盈利。半导体硅片要形成规模化生产,所需投资金额较大,如一台关键生产设备价值达数千万元,大尺寸硅片生产线的投资金额以十亿元计。

  同时,由于前期固定资产投资额大,半导体硅片企业需要形成一定的规模销售后才能盈 利,前期经营压力较大,毛利率可能为负。

  半导体硅片的研发和生产过程较为复杂,涉及固体物理、量子力学、热力学、化学等多学科领域交叉,因此需要具备综合专业知识和丰富生产经验的复合型人才。

  半导体产业发源于美国,半导体硅片亦如此。1956 年,美国孟山都化学公司成立孟山都电子材料公司(MEMC Electronic Materials,MEMC),负责生产制造晶体管和整流器的硅片。

  在之后的几十年里,MEMC 为行业技术发展、行业标准等都做出了极大贡献,突破的技术包括化学机械研磨 CMP、外延层的生长、零错位晶体、氧控制等;同时公司也是全球第一家量产 4 英寸、8 英寸的硅片厂商。

  作为行业领导者,MEMC 在 20 世纪 60 年代获得 80%的市场份额。但后期由于连续亏损,孟山都在 1989 年将 MEMC 卖给了德国化工企业,并于 2016 年被中国台湾的环球晶圆收购。

  随着本土半导体的崛起,日本硅片厂商后来居上,韩国和中国台湾企业也在全球占有一席之地。

  在超大规模集成电路研究计划(VLSI,1976-1980)的推动下,日本半导体产业快速发展,其中存储器在 20 世纪 80 年代超过美国,硅片厂商也在此期间获得黄金发展期,最终经过整合并购形成信越化学和 SUMCO 两家国际半导体硅片巨头,2001 年信越化学在全球率先量产 12 英寸半导体硅片。日本半导体硅片产业从 20 世纪 90 年代超过美国后,至今仍在全球占据主导地位。

  20 世纪 90 年代半导体产业从日本向韩国和中国台湾转移,韩国和中国台湾硅片企业得以成长,并在全球占有一席之地。

  半导体硅片产业发展早期由美国 MEMC 主导,之后众多企业参与竞争,1998 年市场格局极度分散,全球主要市场参与者超过 25 家。

  但随着硅片尺寸越来越大,所需投资额大幅提高,规模效应是企业盈利的关键,在众多硅片厂商出现连续亏损的情况下收购兼并不断发生。

  通过不断的整合收购,全球半导体硅片行业由分散走向集中,2019 年全球前五大硅片厂商合计市占率超过 90%

  在国际关系紧张的情况下,半导体供应链安全成为各国政府和企业的关注重点,半导体硅片作为核心原材料,本土供应需求强烈,2022 年中国台湾环球晶圆收购德国世创电子因未获德国审核通过而宣告失败。

  在以中国大陆半导体硅片厂商为代表的供给影响下,半导体硅片行业的竞争格局有望发生改变,全球市场集中度有望下降。

  根据 SEMI 的数据,2020 年全球前三大半导体硅片厂商合计市占率由 2019 年的 68.2%下降至 63.8%;前五大厂商合计市占率由 92.6%下降至 86.6%

  半导体含量提升推动硅片出货面积增加,2021 年全球硅片出货面积创历史新高。

  历史上半导体行业的年均增速高于电子系统整体市场,主要驱动力是电子系统中使用的半导体的含量不断增加。比如随着全球手机、汽车和个人电脑出货量增长趋于成熟和放缓,电子系统市场 2011-2021 年的年均复合增长率为 3.5%,而半导体行业 2011-2021 年的年均复合增长率为 6.5%。

  根据 IC Insights 的数据,2021 年电子系统中的半导体含量提高到了 33.2%,创历史新高,同时预期终值将超过 40%。在半导体含量推动作用下,硅片出货面积曾上升趋势,根据 SEMI 的数据, 2021 年全球硅片出货面积 141.65 亿平方英寸,创历史新高。

  半导体硅片新增需求集中在 8 英寸和 12 英寸,6 英寸及以下尺寸硅片需求稳定。

  根据 Omdia 的数据,6 英寸及以下尺寸的半导体硅片需求量在 2000 年到 2015 年之间呈下降趋势,2015 年后基本保持稳定;12 英寸硅片从 2001 年商业化生产后,需求量持续攀升;8 英寸硅片需求量波动相对较少。

  Omdia 预计 2021 至 2025 年, 8 英寸和 12 英寸半导体硅片需求量将增加,6 英寸及以下尺寸硅片需求保持平稳。

  分立器件由于价格偏低,生产厂商对于投资大尺寸产线 英寸及以下硅 片为主。

  集成电路使用大尺寸硅片带来的经济效益明显,比如 12 英寸硅片的面积是 8 英寸的 2.25 倍,可使用率是 8 英寸的 2.5 倍左右,单片可产出的芯片数量增加,单个芯片的成本随之降低。若硅片尺寸增大带来的成本节约可以弥补投资大尺寸晶圆制造产线的成本,厂商便有向大尺寸迁移的动力。

  目前商用的最大半导体硅片尺寸是 12 英寸,18 英寸(450mm)硅片由于工艺和技术难度较大,目前还没有看到量产的可能。

  远程办公、汽车半导体、元宇宙等新需求推动 12 英寸半导体硅片需求增加。

  根据 SUMCO 2022 年 2 月的预测,12 英寸半导体硅片的需求量将在远程办公、线上会议、自动驾驶、元宇宙等新需求的推动下增加,其中全球数据量将从每年 13ZB 增加到 160ZB,数据的计算和存储需求旺盛。

  为了满足下游终端需求,晶圆厂正在加大资本开支扩充产能,预计 2022 年投资总额约 1500 亿美元,其中第三方代工厂在先进制程方面尤为积极,2020-2025 年的 CAGR 为 8.1%, IDM 的 CAGR 为 4.6%。

  由于 12 英寸半导体硅片新建厂房的大规模投产需要等到 2024 年,扩产进度落后于需求增加,2022、2023 年 12 英寸硅片供应缺口将比 2021 年更大,预计从 2022 年至 2026 年全球 12 英寸硅片厂商的产能利用率均将保持在 100%以上。

  另外,8 英寸及以下硅片供不应求的状态也将在 2022 年持续。基于此,各大半导体硅片厂商进入 2022 年后,在 2021 年涨价的基础上再次涨价。

  SUMCO 大额扩产满足长约需求,环球晶圆收购失败后亦宣布扩产。SUMCO 已与客户签订从 2022 到 2026 年的 5 年长约,为了满足客户需求,SUMCO 计划投资 2287 亿日元(约 125 亿人民币)在 Imari 和 Omura 新建厂房扩产,这是自 2008 年以来首度投资建设新的工厂。两个新厂房将于 2022 年动工,2023 年下半年开始投产,并分别于 2Q25、2023 年底满产,这些新增产能已包含在长约中。

  环球晶圆收购世创电子失败后,也于 2022 年 2 月宣布了扩产计划,将于 2022 年至 2024 年投入 1000 亿新台币(约 228 亿人民币),用于扩充现有厂区以及兴建新厂,新产线 年下半年开始投产。

  中国是全球新建晶圆厂数量最多的国家,增加对 8 英寸和 12 英寸硅片的需求。

  根据 SEMI 的预计,2020 年至 2024 年间将有众多晶圆厂上线 英寸晶圆厂,其中中国是新增数量最多的国家,中国大陆新增 14 座 8 英寸和 15 座 12 英寸,中国台湾新增 2 座 8 英寸和 15 座 12 英寸,在新建 8 英寸晶圆厂方面,中国大陆的数量远远超过其他国家/地区。

  2021、2022 年中国大陆新建数量分别为 5 座和 3 座,新增晶圆厂的投产将带动对半导体硅片的需求。

  政策资金推动下,国内半导体硅片企业纷纷投资扩产。发展半导体产业已成为国家战略,国家和地方政府加大支持政策力度。同时,在国产化大趋势下,大量资金涌入半导体产业。在两者推动下,国内半导体行业进入蓬勃发展期,半导体硅片作为关键原材料,各厂商相继宣布投资扩产计划。

  由于国内大尺寸半导体硅片企业处于发展早期,尚未形成垄断格局。各企业和各地政府为了抓住发展机遇,积极建设硅片厂,呈现出建设主体多且区域分散的格局。

  从日本半导体硅片行业的发展史来看,在产业发展早期,多项目齐头并进;随着产业发展成熟,基于规模效应和盈利能力考虑,并购整合是最优选择。

  与海外半导体硅片企业相比,国内企业进入半导体硅片行业时间较晚,规模化量产时间落后十年以上。

  其中 8 英寸半导体硅片海外量产时间为 1984 年,我国立昂微量产时间为 2009 年;12 英寸半导体硅片海外量产时间为 2001 年,我国上海新昇量产时间为 2018 年。由于起步晚,国内半导体硅片企业面临较高的行业进入壁垒,包括资金壁垒、人才壁垒、技术壁垒、认证壁垒以及规模壁垒等。

  但是在国家政策和资本支持下,资金壁垒已基本解决;同时,良好的创业环境和待遇也吸 引了优秀的海外人才回流及本土人才加入,半导体硅片领域的人才梯队正在建立。

  新进半导体硅片厂商要成为客户主要供应商一般需要 5 年以上的认证过程:2 年左右的产品流片评估——1 年左右的陪片和测试片稳定供应——低价格低数量订单正片供应 1 年——正常价格订单的 B 类和 C 类供应商——主要供应商。

  为了保证产品的质量,在有成熟供应商的情况下,晶圆厂导入新硅片供应商的意愿较低,但在国际关系紧张的情况下,国内晶圆制造企业对于硅片本土化需求增加,更愿意为国内企业提供认证机会,在此背景下,国内部分硅片企业已成功完成认证,进入批量供货阶段,随着经验的积累,国内企业将有更多的机会导入海外客户。

  半导体硅片行业前期固定资产投资金额较大,在规模出货前容易亏损,规模效应是企业的竞争优势之一。

  国内企业进入时间较短,规模效应还未形成,相比海外大厂,前期盈利能力较弱,尤其是 12 英寸产线。

  以沪硅产业为例,2020 年沪硅产业整体毛利率为 13.10%,8 英寸及以下尺寸产品毛利率为 21.76%,12 英寸产品毛利率则为-34.82%。随着产能和销量爬坡完成后,规模效应有助改善企业盈利能力。

  建设一条硅片生产线需要一系列的设备,包括单晶炉、抛光和清洗设备、切磨设备、检测设备和外延设备等。

  虽然目前 12 英寸线生产设备仍以进口设备为主,但已有部分国产设备进入生产线。

  另外,设备的设计和改造能力也是半导体硅片企业的核心竞争力之一,以单晶炉为例,信越和 SUMCO 的单晶炉是由公司独立设计制造或通过控股子公司设计制造;其他主要硅片厂商也有自己独立的单晶炉供货商,并签有严格的保密协议。

  经过多年的发展,国内部分厂商也已建立核心设备设计能力,以上海超硅为例,公司设有设备技术中心,核心设备单晶炉由公司自主设计制造。

  从全球半导体硅片大厂 SUMCO 的历史复盘来看,公司业绩和市值波动情况基本一致,2016-2018 年为上行阶段,2019、2020 年为下行阶段。

  环球晶圆在 2016-2018 年的阶段与 SUMCO 情形类似,毛利率、净利率大幅提升,市值也大幅上涨;而在 2019、2020 年的下行周期中,环球晶圆因为与客户签订了锁价锁量的长约,毛利率、净利率波动幅度较小。

  另外,环球晶圆在 2016 年还进行了两次收购,其中包括全球第四大半导体硅片厂商,因此环球晶圆 2016-2018 年市值上涨 10 倍左右,远超 SUMCO;2020 年底环球晶圆开始筹划收购世创电子,2022 年初宣告失败。

  在国产替代背景下,中国半导体产业进入黄金发展期,为硅片产业带来投资机遇。

  在国际关系紧张的情况下,中国半导体全产业进入天时、地利、人和的黄金发展期,从中长期来看景气度将继续上行,晶圆厂进入扩产期。

  而根据 2019 年底修订的《瓦森纳协议》,部分高端半导体硅片相关技术受到出口管制,基于供应链安全考虑,国内晶圆厂对导入国产硅片的配合度增加。

  根据麦斯克招股书,我国 8 英寸硅片仅 10%左右,12 英寸国产供应刚起步。从日本、韩国、中国台湾半导体硅片产业的发展史来看,半导体硅片企业的成长是伴随着本土半导体行业的崛起而发生,并将经历一段收购整合期。

  我们认为,芯片国产化趋势将助力我国培育出在全球占有一席之地的半导体硅片企业,当下是投资半导体硅片产业的机遇期。

  国内半导体硅片企业正在积极推动 12 英寸硅片建设,具有先发优势的已量产企业。

  相比于海外,国内半导体硅片企业处于发展的早期,大尺寸硅片技术积累不足,大部分企业以生产 8 英寸及以下硅片为主。

  由于 8 英寸以下硅片的需求稳定,难以支撑企业继续成长,国内硅片企业均在积极布局 8 英寸、12 英寸产线 英寸半导体硅片由于技术资金门槛更高,量产和客户导入难度更大,率先量产的企业具有明显的先发优势,未来也有望主导国内的并购整合。

  目前国内已规模化生产 12 英寸的企业主要有沪硅产业、立昂微、中环股份、超硅半导体等。

  国内 6 英寸及以下半导体硅片企业已具有较强的实力,建议关注细分市场占主导地位的企业。

  随着海外企业逐步退出 6 英寸及以下小尺寸硅片市场,国内企业在部分细分市场已占据主导地位。

  由于前期投资额较小且已实现规模化销售,小尺寸硅片企业的毛利率明显优于大尺寸硅片企业,盈利能力突出,代表性企业有中晶科技、麦斯克、有研硅等。

  2、大尺寸半导体硅片国产化进程不及预期。国内半导体硅片企业还处于量产 12 英寸硅片的初期,可能由于技术储备和经验不足,从而导致产品研发进度和质量不及预期,无法及时满足客户国产化的需求。

  3、大尺寸半导体硅片企业持续亏损的风险。目前国内 12 英寸硅片生产线量产规模较小,还未达到盈利状态,若无法快速上量,则存在持续亏损的风险。

  4、产能过剩和行业竞争加剧的风险。目前国内众多企业和地方政府布局半导体硅片领域,已建和计划建设的半导体硅片产能较多,若全部释放出来,可能存在产能过剩的风险,为了争取市场份额可能出现价格竞争加剧的风险。

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